DataSheet.fr Fiche technique


Datasheet P4N60 PDF ( Fiche technique )

Numéro de référence Description Fabricant PDF
1 P4N60   SSP4N60

Advanced Power MOSFET FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 µ A (Max.) @ VDS = 600V Lower RDS(ON) : 2.037 Ω (Typ.) SSP4N60AS B

P4N60 - Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
P4N60 datasheet

P4N Fiches techniques ( Datasheet )

Numéro de référence Description Fabricant PDF
P4N05L

RFP4N05L

Intersil Corporation
Intersil Corporation
P4N05L pdf
P4NC50

STP4NC50

STMicroelectronics
STMicroelectronics
P4NC50 pdf
P4NK50Z

STP4NK50Z

STMicroelectronics
STMicroelectronics
P4NK50Z pdf
P4NA40F1

STP4NA40F1

ST Microelectronics
ST Microelectronics
P4NA40F1 pdf
P4N80E

MTP4N80E

Motorola
Motorola
P4N80E pdf
P4NB100

STP4NB100

ST Microelectronics
ST Microelectronics
P4NB100 pdf
P4NB80

STP4NB80

STMicroelectronics
STMicroelectronics
P4NB80 pdf
P4NA80FI

STP4NA80FI

ST Microelectronics
ST Microelectronics
P4NA80FI pdf


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Fiche de données de référence

Numéro de référence Description Fabricant PDF
AMS116

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Advanced Monolithic Systems
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Diodes
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