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Data sheet MIP2E4D PDF ( Fiche technique )

Numéro de référence Description Fabricant PDF
2 MIP2E4D   High-Performance IPD for Battery Chaegers

IPD I IPD (MIP022X) IPD PWM 60 W IPD I G ( 12 V/3 A : 100 VAC : 100 VAC (MIP022X) : 1/20) ; 70 mW, ; 70 , 264 VAC 264 VAC ; 130 mW ; 60 G 0.3 W IPD MIP022X G I MOS FET VDSS MIP2E1D MIP2E2D MIP2E3D MIP2E4D MIP2E5D MIP2E7D ∼7W ∼ 10 W 10 W ∼ 20 W 15 W ∼ 30 W 20 W ∼ 40

MIP2E4D - Matsushita
Matsushita
MIP2E4D datasheet
1 MIP2E4DMY   Silicon MOS type integrated circuit

(IPD) MIP2E4DMY MOS I 2.8±0.2 1.5±0.2 Unit : mm 10.5±0.5 9.5±0.2 8.0±0.2 6.7±0.3 • • 4.5±0.2 1.4±0.1 I 15.4±0.3 φ 3.7±0.2 I Ta = 25°C ± 3°C 13.5±0.5 4.2±0.3 Solder Dip 1.4±0.1 (9.3) 2.5±0.2 0.6 +0.1 –0.2 0.8±0.1 VD VC ID I

MIP2E4DMY - Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
MIP2E4DMY datasheet



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Fiche de données de référence

Numéro de référence Description Fabricant PDF
AMS116

100mA LOW DROPOUT VOLTAGE REGULATOR

Advanced Monolithic Systems
Advanced Monolithic Systems
PDF
APD360

Low voltage dual Schottky rectifier

Diodes
Diodes
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