P4N60 Fiche technique
Datasheet P4N60 PDF |
| Numéro | Numéro de référence | Description | Fabricant | |
| 1 | P4N60 | SSP4N60
Advanced Power MOSFET
FEATURES
Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 µ A (Max.) @ VDS = 600V Lower RDS(ON) : 2.037 Ω (Typ.)
SSP4N60AS
BVDSS = 600 V RDS(on) |
 Fairchild Semiconductor |
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P4N6 Fiches techniques - Résultats de la recherche correspondant |
| Numéro de référence | Description | Fabricant | |
| P4N60 | SSP4N60 |
Fairchild Semiconductor |
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