Datasheet MIP2E4D PDF |
Numéro | Numéro de référence | Description | Fabricant | |
2 | MIP2E4D | High-Performance IPD for Battery Chaegers IPD
I
IPD (MIP022X) IPD PWM 60 W IPD
I
G ( 12 V/3 A : 100 VAC : 100 VAC (MIP022X) : 1/20) ; 70 mW, ; 70 , 264 VAC 264 VAC ; 130 mW ; 60
G
0.3 W IPD MIP022X
G
I
MOS FET VDSS MIP2E1D MIP2E2D MIP2E3D MIP2E4D MIP2E5D MIP2E7D ∼7W ∼ 10 W 10 W ∼ 20 W 15 W ∼ 30 W 20 W ∼ 40 W 40 W ∼ 60 W 700 |
![]() Matsushita |
![]() |
1 | MIP2E4DMY | Silicon MOS type integrated circuit
(IPD)
MIP2E4DMY
MOS
I
2.8±0.2 1.5±0.2
Unit : mm
10.5±0.5 9.5±0.2 8.0±0.2
6.7±0.3
• •
4.5±0.2 1.4±0.1
I
15.4±0.3
φ 3.7±0.2
I
Ta = 25°C ± 3°C
13.5±0.5 4.2±0.3 Solder Dip
1.4±0.1
(9.3)
2.5±0.2 0.6 +0.1 –0.2
0.8±0.1
VD VC ID IDP IC Tch Tstg
700 |
![]() Panasonic Semiconductor |
![]() |
Index : 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z |
www.DataSheet.fr | 2017 | Contactez-nous | English |