DataSheet.fr Fiche technique

MIP2E4D Fiche technique

Datasheet MIP2E4D PDF

Numéro Numéro de référence Description Fabricant PDF
2 MIP2E4D   High-Performance IPD

IPD I IPD (MIP022X) IPD PWM 60 W IPD I G ( 12 V/3 A : 100 VAC : 100 VAC (MIP022X) : 1/20) ; 70 mW, ; 70 , 264 VAC 264 VAC ; 130 mW ; 60 G 0.3 W IPD MIP022X G I MOS FET VDSS MIP2E1D MIP2E2D MIP2E3D MIP2E4D MIP2E5D MIP2E7D ∼7W ∼ 10 W 10 W ∼ 20 W 15 W ∼ 30 W 20 W ∼ 40 W 40 W ∼ 60 W 700
MIP2E4D - Matsushita
Matsushita
MIP2E4D datasheet
1 MIP2E4DMY   Silicon MOS type integrated circuit

(IPD) MIP2E4DMY MOS I 2.8±0.2 1.5±0.2 Unit : mm 10.5±0.5 9.5±0.2 8.0±0.2 6.7±0.3 • • 4.5±0.2 1.4±0.1 I 15.4±0.3 φ 3.7±0.2 I Ta = 25°C ± 3°C 13.5±0.5 4.2±0.3 Solder Dip 1.4±0.1 (9.3) 2.5±0.2 0.6 +0.1 –0.2 0.8±0.1 VD VC ID IDP IC Tch Tstg 700
MIP2E4DMY - Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
MIP2E4DMY datasheet


Liens de partage :
[1] 

Index : 0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z



www.DataSheet.fr    |  2017    |  Contactez-nous    |   English