K3767 Fiche technique
Datasheet K3767 PDF |
| Numéro | Numéro de référence | Description | Fabricant | |
| 1 | K3767 | 2SK3767
2SK3767
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI)
2SK3767
Switching Regulator Applications
• • • • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 3.3Ω (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.6S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100μ |
 Toshiba Semiconductor |
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K376 Fiches techniques - Résultats de la recherche correspondant |
| Numéro de référence | Description | Fabricant | |
| K3767 | 2SK3767 |
Toshiba Semiconductor |
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| K376 | N-Channel Silicon FET |
 Sanyo |
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