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PDF CR5228 Fiche technique - Chip-Rail

Numéro de référence CR5228
Description Green energy current-mode PWM flyback power switch
Fabricant Chip-Rail 
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CR5228 Datasheet, Description
CR5228
绿色节能电流模反激 PWM 功率开关
主要特点
内置 4ms 软启动以降低功率管开机尖
峰电流
采用轻载降频设计,以提高效率和降低
待机功耗
采用频率抖动以达到更好的 EMI 性能
SENCE 峰值电流检测输入端内置前沿
消隐功能
无音频噪声工作模式
固定工作频率:50KHz
内置斜坡补偿
低的启动电流和工作电流
欠压锁定保护(UVLO
过载保护(OLP)
过温保护(OTP
过压保护(OVP)
具有动态峰值限定功能,在全电压输入
范围内获得比较一致的最大输出功率
保护解除后自动恢复功能
3000V ESD
高压BiCMOS工艺
内置650V MOSFET
DIP-8L绿色封装
应用
AC/DC电源适配器
DVD/DVB电源
备用开关电源
ADSL等无线路由器开关电源
概述
CR5228 是内置高压功率 MOSFET 的电
流模反激 PWM 控制芯片,适用于 18W 以内
的离线式反激开关电源,具有高性能、低待机
功耗、低成本的优点。
为了保证芯片正常工作,CR5228 针对各
种故障设计了一系列完善的具有自动恢复功
能的保护措施,包括软启动、过温保护(OTP)、
VDD 欠压锁定保护(UVLO)、过压保护(OVP
及箝位、逐周期电流限制(OCP)、过载保护
OLP)和图腾柱输出驱动高箝位等,特别对
音频噪声和 FM 干扰进行了处理。芯片内置的
频率抖动和图腾柱栅极软驱动技术可容易地
获得良好的 EMI 性能。
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CR5228 Fiche technique
CR5228
功能框图
绿色节能电流模反激 PWM 功率开关
极限参数
符号
VDD
VDDG
VDrain
IVDD
VFB
VSense
ESD
TL
TSTG
TJ
参数
工作电压
功率输出电路的电源电压
高压MOSFET漏端电压(关闭状态)
VDD箝位的连续电流
FB引脚工作电压
SENSE引脚工作电压
ESD能力-人体模式
ESD能力-机械模式
焊接温度
20DIP-8L
储存温度范围
工作结温范围
推荐工作环境
符号
VDD
TOA
PO85-265VAC
参数
VDD 电源电压
工作环境温度
最大输出功率(适配器)DIP-8L
30
30
-0.3 to 700
10
-0.3 to 7V
-0.3 to 7V
3000
250
260
-55 to + 150
-20 to + 150
单位
V
V
V
mA
V
V
V
V
最小~最大
1223
-20~85
10-18
单位
V
W
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CR5228 pdf
CR5228
绿色节能电流模反激 PWM 功率开关
工作描述
启动电流和启动控制
CR5228 具有很低的启动电流,实际应用
时可以采用一个非常大的启动电阻,既能满足
芯片的快速启动,又能使启动功率损耗减到最
小。例如,对于全输入电压范围的 AC/DC
换器应用,只需要一个 2M0.125W 的电阻
VDD 外面的小电容相连就能使芯片快速启
动。
CR5228 的工作电流低于 2mA,较低的芯
片工作电流以及轻载时所采用的 Burst 工作模
式,使芯片在轻载工作时具有较高的工作效
率。
软启动
每一次 VDD 电源启动瞬间,CR5228
片内部都将触发软启动功能,即在 VDD 电压
达到 UVLOOFF)以后,在大约 4ms 时间内,
峰值电流从 0 上升到最大值峰值电流,以减少
电源启动期间功率管电压应力。注意:无论何
种保护导致的 VDD 再次启动,都必将触发软
启动功能。
优化的Burst模式控制
在轻载或者空载情况下,开关电源的大部
分损耗来源于功率 MOSFET 的开关损耗,变
压器铁损和缓冲电路的损耗。功率损失的程度
正比于开关频率。较低的开关频率可以降低功
率损耗,达到节能的目的。
CR5228 的开关频率可根据开关电源负载
情况进行内部调节。正常负载条件下,芯片以
固定频率发波;当负载减小到某一点的时候,
芯片开始工作在 PFM 模式,即负载越轻芯片
工作频率越低;如果负载进一步降低到一定程
度以后,芯片开始间歇性地发波,从而极大的
减小待机功耗。
开关频率控制采用无噪音工作模式,在任
何负载情况下都不会进入人耳敏感的音频范
围,从而减小音频噪声。
频率抖动
CR5228 具有频率抖动功能,即开关频率
以一个固定的中心频率为基准,在一定范围内
小幅随机变化,从而分散了谐波干扰能量。扩
展的频谱降低了窄带 EMI,因此简化了系统
设计。
峰值电流检测和前沿消隐
CR5228 采用电流模式 PWM 控制技术,
具有逐周期峰值电流限制功能。在 MOSFET
导通瞬间,功率管将会产生一个很大的瞬时电
流,该电流流过 SENCE 峰值检测电阻并在其
两端产生一个很大的瞬时电压,从而引起错误
SENCE 峰值电流检测。前沿消隐电路就是
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RéférenceDescriptionFabricant
H6060Monolithic low-power CMOS device combining a programmable timerEM Microelectronic - MARIN SA
EM Microelectronic - MARIN SA
IT8772EHighly integrated Super I/O using the Low Pin Count InterfaceITE
ITE

Un datasheet est un document fourni par le constructeur du composant, où figurent toutes les données techniques sur le produit: puissance dissipée, courant maximal, tension de seuil, tension de claquage, température de stockage, etc.


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