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PDF CR5224 Fiche technique - Chip-Rail

Numéro de référence CR5224
Description (CR5224 - CR5229) MOSFET
Fabricant Chip-Rail 
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CR5224 Datasheet, Description
CR5224/CR5228/CR5229 应用指导书 V3.0
摘要:
本文主要介绍了 CR522X 的特征和详细的工作原理,描述了一种采用 CR522X 的反激式隔离 AC-DC
关电源的简单而高效的设计方法。
芯片特征:
内置 650V 功率开关 MOSFETCR5224 内置 630V MOSFET
过温保护功能
低的启动电流:3uATyp
低的工作电流:2mATyp
内置软启动以减小 MOSFET 应力
内置频率抖动以改善 EMI 特性
内置斜波补偿电路
50KHz 的开关频率
为改善效率和最小待机功耗而设计的 Hiccup Mode & PFM 工作模式
VDD 欠压保护(UVLO)、过压保护(OVP)VDD 电压钳位功能、OLP 等多种自恢复保护
高效节能:
满足能源之星EPS 2.0版Ⅴ级能效标准
应用领域:
电池充电器
数码产品适配器
VCRSVRSTBDVD 等电源
PCTV 辅助电源
开放式电源
管脚信息:
VDDG GND
VDD GND
FB Drain
Sense Drain
CR5224/CR5228/CR5229
(DIP-8L)
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CR5224 Fiche technique
CR522X 应用指导书
CR522X 是用于 24W 以内离线式开关电源 IC,该 IC 含有高压功率 MOSFET,具有优化的图腾驱动电
路以及电流模式 PWM 控制器。PWM 控制器包含 50KHz 固定的频率振荡发生器以及各种保护。由振荡电
路产生的频率抖动,可以改善 EMI 特性。
为了获得良好的效率和待机功耗,CR522X 在重载或中等负载时,工作在 PWM 模式,频率为 50KHz
当负载逐渐减小时,振荡器的工作频率逐渐降低,最后稳定在 22KHz 左右。在空载和轻载时,电路采用间
歇模式,有效的降低了待机功耗。
保护功能包括:欠压锁定、过压保护及钳位、过载保护等,各种保护解除后均可自动恢复工作。
由于 CR522X 高度集成,使用外围元件较少。采用 CR522X 可简化反激式隔离 AC-DC 开关电源设计,
从而使设计者轻松的获得可靠的系统。
2.欠压锁定和启动电路
系统在上电时,整流后的高压通过启动电阻 RIN VDD 端的电容 C1 充电,直到 VDD 端电压达到芯片
的启动电压 VDD_ON(典型 14.8V)时,芯片启动并且驱动整个电源系统工作。如果发生保护,输出关断,导
致辅助绕组掉电,VDD 端电压开始下降,当 VDD 端电压低于芯片的关闭电压 VDD_OFF(典型 9V)时,控
制电路关断,芯片消耗电流变小,进入再次启动序列。
VDC
VDD_O
N
RIN
VDD
CR522
X
IDD_S
T
D1
C1
TD_ON
GN
D
1.2 典型启动电路
由于芯片的启动电流 IDD_ST 3uA,且考虑到空载的系统损耗,RIN 可取较大值。对于 90Vac~264Vac
输入范围,RIN 可在 1.5M~3M范围内选取,C1 推荐选用 10uF/50V
系统启动过程中,最大启动延迟时间可用下式计算:
TD _ ON
= −RIN
× C1 × ln 1VDC
VDD _ ON
I DD _ ST
× RIN
 ………………1.1
如果需要系统具有更快的启动时间且在系统成本允许的情况下,可采用如下电路:
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CR5224 pdf
CR522X 应用指导书
CR522X 内置的图腾驱动电路设计可以优化驱动能力。这种控制原理可以在系统设计时,容易地获得低的
损耗和良好的 EMI 特性。
除此之外,栅极驱动能力还可以通过调整连接在 VDD 端和 VDDG 端的电阻实现的。这样就提供了一
个灵活的系统 EMI 设计。建议该电阻取值为 470~1K
9.保护功能
在发生各种异常保护状态以后,CR522X 关闭输出,导致 VDD 端电压降低,电路会不断重启,直至故
障解除。
1)逐周期电流限制
在每个周期,峰值电流检测电压由比较器的比较点决定。该电流检测电压不会超过峰值电流限制电压。
保证初级峰值电流不会超过设定电流值。当电流检测电压达到峰值电流限制电压时,输出功率不会增
大。从而限制了最大输出功率。如果负载过重,会导致输出电压变低,反映到 FB 端,导致 FB 电压升
高,发生过载保护。具有线电压补偿功能的 OCP,在宽范围输入时可实现恒功率输出。
2)过压保护及钳位
VDD 电压超过过压保护点(典型 28.5V)时,表示负载上发生了过压,此时 CR522X 关断输出。该
状态一直保持,直到 VDD 端口电压降到 VDD_OFF 后进入再次启动序列。发生过压保护后,如果 VDD
端口电压超过箝位电压阀值(典型 30V)时,内部箝位电路将 VDD 电压箝位在 30V,以保护 CR522X
不被损坏,此时输出仍然是关闭的。
3)过载保护
当电路过载时,会导致 FB 电压升高,当 VFB 超过 3.7V 并持续 50ms 的时间,CR522X 关闭输出。该
状态一直保持,直到芯片 VDD 电压降低到 VDD_OFF(典型 9V)后,进入再次启动序列。
4)短路保护
短路保护可能由两种情况决定,当输出短路时,VDD 端口电压会下跌,同时 FB 端口电压会升高,如
VDD 端口电压跌到 VDD_OFF(典型 9V)先于 FB 端口超过 3.7V 并持续 50ms,则短路保护由 VDD
口引起的 UVLO 决定。反之,则由 FB 引起的过载保护决定。
5)过温保护
当控制芯片内部温度达到典型值 145℃时,过温保护状态启动,芯片关段输出并反复重启动,但 GATE
无频率输出。直至芯片内部温度降低至典型值温度 135℃时,芯片重新正常工作。
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RéférenceDescriptionFabricant
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H6060Monolithic low-power CMOS device combining a programmable timerEM Microelectronic - MARIN SA
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IT8772EHighly integrated Super I/O using the Low Pin Count InterfaceITE
ITE

Un datasheet est un document fourni par le constructeur du composant, où figurent toutes les données techniques sur le produit: puissance dissipée, courant maximal, tension de seuil, tension de claquage, température de stockage, etc.


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