DataSheet.fr

PDF 139N08N Fiche technique - Infineon

Numéro de référence 139N08N
Description Power-Transistor
Fabricant Infineon 
Logo Infineon Logo 

11 Pages
		

No Preview Available !

139N08N Datasheet, Description
"%&$!"#3 Power-Transistor
Features
Q#451<6? B8978 6B5AE5>3 I CG9D3 89>7
Q( @D9=9J54 D53 8>? <? 7I 6? B    3 ? >F5BD5BC
Q H3 5<<5>D71D5 3 81B75 HR 9H"[Z# @B? 4E3 D ( & 
Q' 3 81>>5< >? B=1<<5F5<
Q  1F1<1>3 85 D5CD54
Q) 2 6B55 @<1D9>7 + ? " , 3 ? =@<91>D
Q* E1<96954 13 3 ? B49>7 D? $     )# 6? BD1B75D1@@<93 1D9? >C
Q" 1<? 75> 6B55 13 3 ? B49>7 D? #       
IPP139N08N3 G IPI139N08N3 G
IPB136N08N3 G
Product Summary
V 9H
R  , ? >=1H, &  
I9
0( J
)+&. Y"
,- 6
Type
#) )   '  '  ! #) #   '  '  !
#)    '  '  !
Package
Marking
E=%ID%**(%+
)+1C(0C
E=%ID%*.*%+
)+1C(0C
E=%ID%*.+%+
)+.C(0C
Maximum ratings, 1DT V   T  E><5CC? D85BG9C5 C@53 96954
Parameter
Symbol Conditions
 ? >D9>E? EC4B19> 3 EBB5>D
I 9 T 8   T
T 8 T
) E<C54 4B19> 3 EBB5>D*#
I 9$\aX_Q T 8   T
 F1<1>3 85 5>5B7I C9>7<5 @E<C5+# E 6H I 9     R =H   "
!1D5 C? EB3 5 F? <D175
V =H
) ? G5B49CC9@1D9? >
P `[` T 8   T
( @5B1D9>7 1>4 CD? B175 D5=@5B1DEB5 T V T _`S
#  3 <9=1D93 3 1D57? BI  #' #   
)#$ , -  1>4 $  ,   
*# , 55 697EB5  6? B=? B5 45D19<54 9>6? B=1D9? >
+# , 55 697EB5  6? B=? B5 45D19<54 9>6? B=1D9? >
+ 5F  
@175
Value
,-
+1
)0(
-(
q*(
/1
   
     
Unit
6
Y@
J
K
T
  
139N08N Fiche technique
Parameter
Symbol Conditions
IPP139N08N3 G IPI139N08N3 G
IPB136N08N3 G
min.
Values
typ.
Unit
max.
Dynamic characteristics
#>@ED3 1@13 9D1>3 5
( ED@ED3 1@13 9D1>3 5
+ 5F5BC5 DB1>C65B3 1@13 9D1>3 5
-EB> ? > 45<1I D9=5
+ 9C5 D9=5
-EB> ? 6645<1I D9=5
1<<D9=5
C U__
C [__
C ^__
t P"[Z#
t^
t P"[RR#
tR
V =H .  V 9H  . 
f & " J
V 99  .  V =H . 
I 9     R =  "
%
%
%
%
%
%
%
)+((
+-+
)-
)*
+-
)0
-
)/+( \<
,.1
%
% Z_
%
%
%
!1D5  81BS5  81B13 D5B9CD93 C-#
!1D5 D? C? EB3 5 3 81B75
!1D5 D? 4B19> 3 81B75
, G9D3 89>7 3 81B75
!1D5 3 81B75 D? D1<
!1D5 @<1D51E F? <D175
( ED@ED3 81B75
Q S_ % / % Z8
Q SP % , %
Q _c
V 99  .  I 9    
V =H D? .
%
0
%
Q S % )1 *-
V \XM`QMa
% -&- % J
Q [__
V 99  .  V =H .
%
*- +, Z8
Reverse Diode
 9? 45 3 ? >D9>? EC6? BG1B4 3 EBB5>D
 9? 45 @E<C5 3 EBB5>D
 9? 45 6? BG1B4 F? <D175
+ 5F5BC5 B53 ? F5BI D9=5
+ 5F5BC5 B53 ? F5BI 3 81B75
IH
I H$\aX_Q
T 8   T
V H9
V =H .  I <    
T V   T
t ^^ V G  .  I <4I H
Q ^^ Pi <'Pt   V C
% % ,- 6
% % )0(
% )&( )&* J
% -( % Z_
% /, % Z8
-# , 55 697EB5  6? B71D5 3 81B75 @1B1=5D5B4569>9D9? >
+ 5F  
@175 
  

3 Page

139N08N pdf
9 Drain-source on-state resistance
R 9H"[Z#4R"T V I 9     V =H .
30
25
20
YMd
15
`e\
10
5
IPP139N08N3 G IPI139N08N3 G
IPB136N08N3 G
10 Typ. gate threshold voltage
V =H"`T#4R"T V V =H4V 9H
@1B1=5D5B I 9
4
3
 V
 V
2
1
0
-60
-20
20
60 100 140 180
T j [°C]
0
-60 -20 20
60 100 140 180
T j [°C]
11 Typ. capacitances
C 4R"V 9H V =H .  f  & " J
104
12 Forward characteristics of reverse diode
I <4R"V H9#
@1B1=5D5B T V
103
8U__
103
8[__
102
8^__
101
102
  T
  T    
  T
101   T    
100
0
+ 5F  
20 40 60
V DS [V]
100
80 0 0.5 1 1.5 2 2.5
V SD [V]
@175 
  

6페이지



Constitution11 Pages
Télécharger[ 139N08N.PDF ]

Liens de partage


Fiche technique recommandé

RéférenceDescriptionFabricant
139N08NPower-TransistorInfineon
Infineon

RéférenceDescriptionFabricant
H6060Monolithic low-power CMOS device combining a programmable timerEM Microelectronic - MARIN SA
EM Microelectronic - MARIN SA
IT8772EHighly integrated Super I/O using the Low Pin Count InterfaceITE
ITE

Un datasheet est un document fourni par le constructeur du composant, où figurent toutes les données techniques sur le produit: puissance dissipée, courant maximal, tension de seuil, tension de claquage, température de stockage, etc.


www.DataSheet.fr    |   2019   |  Contactez-nous    |   Recherche