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CR522X-21/23/24/28/29
绿色节能电流模反激 PWM 功率开关
主要特点
z 内置 4ms 软启动以降低功率管开机尖
峰电流
z 采用轻载降频设计，以提高效率和降低
待机功耗
z 采用频率抖动以达到更好的 EMI 性能
z SENCE 峰值电流检测输入端内置前沿
消隐功能
z 无音频噪声工作模式
z 固定工作频率：50KHz
z 内置斜坡补偿
z 低的启动电流和工作电流
z 欠压锁定保护（UVLO）
z 过载保护(OLP)
z 过温保护（OTP）
z 过压保护(OVP)
z 具有动态峰值限定功能，在全电压输入
范围内获得比较一致的最大输出功率
z 保护解除后自动恢复功能
z 3000V ESD
z 高压 BiCMOS 工艺
z 内置 600V MOSFET
z DIP-8L、SOP-8L 绿色封装
应用
z AC/DC 电源适配器
z DVD/DVB 电源
z 备用开关电源
z ADSL 等无线路由器开关电源
概述
CR522X 是内置高压功率 MOSFET 的电流模反激 PWM 控制芯片，适用于 18W 以内的
离线式反激开关电源，具有高性能、低待机功耗、低成本的优点。
为了保证芯片正常工作，CR522X 针对各种故障设计了一系列完善的具有自动恢复功能
的保护措施，包括软启动、过温保护（OTP）、VDD 欠压锁定保护（UVLO）、过压保护（OVP）
及箝位、逐周期电流限制（OCP）、过载保护（OLP）和图腾柱输出驱动高箝位等，特别对
音频噪声和 FM 干扰进行了处理。芯片内置的频率抖动和图腾柱栅极软驱动技术可容易地获
得良好的 EMI 性能。
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CR522X
功能框图
绿色节能电流模反激 PWM 功率开关
极限参数
符号
VDRAIN
VDD
VDDG
IVDD
VFB
VSense
ESD
TL
TSTG
TJ
参数
源漏击穿电压
工作电压
功率输出电路的电源电压
VDD箝位的连续电流
FB引脚工作电压
SENSE引脚工作电压
ESD能力-人体模式
ESD能力-机械模式
焊接温度
20秒 DIP-8L
20秒 SOP-8L
储存温度范围
工作结温范围
推荐工作环境
产品
CR5223
CR5221
CR5224
CR5228
CR5229
封装
SOP-8L
DIP-8L
DIP-8L
DIP-8L
DIP-8L
230VAC ±15%
开放式 1
7W
9W
15W
18W
24W
值
-0.3V~VBR(DS)
30
30
10
-0.3 to 7V
-0.3 to 7V
3000
250
260
260
-55 to + 150
-20 to + 150
单位
V
V
V
mA
V
V
V
V
℃
℃
℃
℃
85-265VAC
开放式 1
6W
8W
12W
15W
18W
1. 开放式应用实际最大功率必须保证足够的 Deain 散热面积，测试条件 50℃环境温度。增加散热面积或风
冷来减小热阻可以获得更高的输出功率。
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CR522X
绿色节能电流模反激 PWM 功率开关
工作描述
启动电流和启动控制
CR522X 具有很低的启动电流，实际应用时可以采用一个非常大的启动电阻，既能满足
芯片的快速启动，又能使启动功率损耗减到最小。例如，对于全输入电压范围的 AC/DC 转
换器应用，只需要一个 2MΩ、0.125W 的电阻与 VDD 外面的小电容相连就能使芯片快速启动。
CR522X 的工作电流低于 2mA，较低的芯片工作电流以及轻载时所采用的 Burst 工作模
式，使芯片在轻载工作时具有较高的工作效率。
软启动
每一次 VDD 电源启动瞬间，CR522X 芯片内部都将触发软启动功能，即在 VDD 电压达
到 UVLO（OFF）以后，在大约 4ms 时间内，峰值电流从 0 上升到最大值峰值电流，以减少
电源启动期间功率管电压应力。注意：无论何种保护导致的 VDD 再次启动，都必将触发软
启动功能。
优化的Burst模式控制
在轻载或者空载情况下，开关电源的大部分损耗来源于功率 MOSFET 的开关损耗，变
压器铁损和缓冲电路的损耗。功率损失的程度正比于开关频率。较低的开关频率可以降低功
率损耗，达到节能的目的。
CR522X 的开关频率可根据开关电源负载情况进行内部调节。正常负载条件下，芯片以
固定频率发波；当负载减小到某一点的时候，芯片开始工作在 PFM 模式，即负载越轻芯片
工作频率越低；如果负载进一步降低到一定程度以后，芯片开始间歇性地发波，从而极大的
减小待机功耗。
开关频率控制采用无噪音工作模式，在任何负载情况下都不会进入人耳敏感的音频范
围，从而减小音频噪声。
频率抖动
CR522X 具有频率抖动功能，即开关频率以一个固定的中心频率为基准，在一定范围内
小幅随机变化，从而分散了谐波干扰能量。扩展的频谱降低了窄带 EMI，因此简化了系统设
计。
峰值电流检测和前沿消隐
CR522X 采用电流模式 PWM 控制技术，具有逐周期峰值电流限制功能。在 MOSFET
导通瞬间，功率管将会产生一个很大的瞬时电流，该电流流过 SENCE 峰值检测电阻并在其
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