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PDF 2SJ156 Fiche technique ( Data sheet )

Numéro de référence 2SJ156
Description P-Channel MOSFET Transistor
Fabricant Inchange Semiconductor 
Logo Inchange Semiconductor Logo 



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2SJ156 Datasheet, Description
INCHANGE Semiconductor
isc P-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SJ156
DESCRIPTION
·Low Drain-Source ON Resisitance
·High Forward Transfer Admittance
·Low Leakage Current
·Enhancement-Mode
APPLICATIONS
·High speed switching application
·Switching regulator ,DC-DC converter and Motor
drive application
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL ARAMETER
VALUE UNIT
VDSS
VGS
ID
Ptot
Tj
Tstg
Drain-Source Voltage (VGS=0)
-50 V
Gate-Source Voltage
±20
V
Drain Current-continuous@ TC=37-5 A
Total Dissipation@TC=25
30 W
Max. Operating Junction Temperature -55~150
Storage Temperature Range
-55~150
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
Rth j-a Thermal Resistance,Junction to Ambient
3.1 /W
75 /W
isc websitewww.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn



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RéférenceDescriptionFabricant
2SJ156P-Channel MOSFET TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

RéférenceDescriptionFabricant
H6060Monolithic low-power CMOS device combining a programmable timerEM Microelectronic - MARIN SA
EM Microelectronic - MARIN SA
IT8772EHighly integrated Super I/O using the Low Pin Count InterfaceITE
ITE

Un datasheet est un document fourni par le constructeur du composant, où figurent toutes les données techniques sur le produit: puissance dissipée, courant maximal, tension de seuil, tension de claquage, température de stockage, etc.


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