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PDF 2SD1763A Fiche technique ( Data sheet )

Numéro de référence 2SD1763A
Description Silicon NPN Power Transistor
Fabricant Inchange Semiconductor 
Logo Inchange Semiconductor Logo 



2 Pages
		

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2SD1763A Datasheet, Description
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SD1763A
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 160V(Min.)
·Good Linearity of hFE
·Complement to Type 2SB1186A
APPLICATIONS
·Power amplifier applications.
·Driver stage amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
160 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
160 V
5V
IC Collector Current-Continuous
1.5 A
ICM Collector Current-Peak
Collector Power Dissipation
@ Ta=25
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
3A
2
W
20
150
-55~150
isc websitewww.iscsemi.cn
1



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RéférenceDescriptionFabricant
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2SD1763ASilicon NPN Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

RéférenceDescriptionFabricant
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EM Microelectronic - MARIN SA
IT8772EHighly integrated Super I/O using the Low Pin Count InterfaceITE
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Un datasheet est un document fourni par le constructeur du composant, où figurent toutes les données techniques sur le produit: puissance dissipée, courant maximal, tension de seuil, tension de claquage, température de stockage, etc.


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